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FQD13N06LTM是onsemi(安森美)一款1個N溝道 耐壓:60V 電流:11A場效應管(MOSFET)，代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供FQD13N06LTM中文參數、產品規格書及現貨。
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制造商產品型號：FQD13N06LTM
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
產品系列：QFET?
零件狀態：有源
FET類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
25°C時電流-連續漏極(Id)：11A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：115 毫歐 @ 5.5A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.4nC @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：350pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：D-Pak
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