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據消息人士透露，臺積電計劃在嘉義科學園區建立1nm制程工廠，已向相關管理局提出100公頃用地需求，其中40公頃將先設立先進封裝廠，后續的60公頃將作為1nm建廠用地。預計臺積電1nm制程的總投資額將逾萬億新臺幣。
臺積電表示，選擇設廠地點有諸多考量因素，公司以臺灣地區作為主要基地，不排除任何可能性，也持續與管理局合作評估合適的半導體建廠用地。公司強調，一切資訊請以公司對外公告為主。
在最近的IEDM 2023會議上，臺積電發布了最新的Roadmap。根據臺積電的計劃，預計在2025年量產2nm級的N2制程，2026年左右量產N2P制程，屆時將會采用新的通道材料、EUV、金屬氧化物ESL、自對齊線w / Flexible Space、低損傷/硬化Low-K &新型銅填充等技術，將實現單顆芯片集成超過1000億個晶體管，同時借助先進的3D封裝技術，實現單個封裝集成超過5000個晶體管。
臺積電還計劃在2027年之后量產1.4nm級的A14制程，2030年將量產1nm級的A10制程，預計實現單芯片集成超過2000億個晶體管，借助3D封裝技術，實現單個封裝內集成超過1萬億個晶體管。
1納米芯片工藝的難度非常大，需要投入巨大的研發資源和資金，并且需要經過長時間的研發和試驗才能實現商業化生產。盡管摩爾定律的推進持續放緩，但臺積電深信，隨著2nm、1.4nm和1nm制程推出，未來五六年內，半導體芯片仍能在性能、功耗和晶體管密度進一步提升。
目前，臺積電也在不斷積累實現1納米芯片的技術，包括互補FET、2D材料、“多層布線”等。在2D材料上，臺積電等在內的聯合研究小組開發出一種二維材料晶體管，其電流-電壓特性與n溝道FET和p溝道FET相同。此外，臺積電也將嘗試使用石墨烯進行多層布線，替代當前流行的銅多層互連。
一、引言在半導體行業中，制程工藝的進步一直是推動技術發展的關鍵因素。英特爾和臺積電作為全球領先的半導體制造廠商，各自在不同節點上推出了先進的工藝技術。本文將對英特爾的22nm工藝與臺積電的16nm工藝進行詳細對比，從性能、功耗、成本和技術特點等方面分析，探討哪種工藝更具...【詳情+】
繼在美國和日本之后，全球領先的半導體制造商臺積電宣布，其位于德國的工廠將于8月20日在德勒斯登舉行盛大的動土典禮。臺積電董事長魏哲家將親自率領包括共同營運長秦永沛、副共同營運長侯永清及張曉強在內的高級管理層出席此次典禮。臺積電表示，歐洲半導體制造公司（ESMC）項目進展順...【詳情+】
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