隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展，為了提高效率和降低電流值，12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)。而48V系統(tǒng)電源下的風(fēng)扇電機(jī)也需要具備100V的耐壓能力，以應(yīng)對(duì)電壓波動(dòng)。然而，提高耐壓能力會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通電阻的增加，從而降低效率。因此，如何在高耐壓和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡，一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。

為了滿足市場(chǎng)需求，ROHM開(kāi)發(fā)了一系列新產(chǎn)品，采用了Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過(guò)背面散熱封裝形式，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻。這些新產(chǎn)品具有出色的散熱性能，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻，從而進(jìn)一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。與傳統(tǒng)的雙MOSFET相比，新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻降低了56%。此外，通過(guò)將兩個(gè)芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，幫助應(yīng)用設(shè)備節(jié)省空間。例如，使用HSOP8封裝的產(chǎn)品替換兩個(gè)單獨(dú)的MOSFET芯片，可以減少77%的安裝面積。

新產(chǎn)品已于2023年7月開(kāi)始批量生產(chǎn)，每月產(chǎn)量達(dá)到100萬(wàn)個(gè)。如需了解具體產(chǎn)品信息，請(qǐng)聯(lián)系客服（客服微信：13310830171）ROHM還計(jì)劃擴(kuò)大雙MOSFET的耐壓陣容，并開(kāi)發(fā)低噪聲產(chǎn)品，以滿足工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求。未來(lái)，ROHM將繼續(xù)努力降低功耗、節(jié)省空間，為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問(wèn)題做出貢獻(xiàn)。

　<產(chǎn)品陣容>

　Nch+Nch 雙MOSFET產(chǎn)品型號(hào)、參數(shù)、封裝：

Nch+Pch 雙MOSFET產(chǎn)品型號(hào)、參數(shù)、封裝：

　　<應(yīng)用示例>

　　?通信基站用風(fēng)扇電機(jī)

　　?FA設(shè)備等工業(yè)設(shè)備用風(fēng)扇電機(jī)

　　?數(shù)據(jù)中心等服務(wù)器用風(fēng)扇電機(jī)

<通過(guò)與預(yù)驅(qū)動(dòng)器ic相結(jié)合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供更出色的解決方案>

ROHM通過(guò)將新產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)的單相和三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合，使電機(jī)電路板的進(jìn)一步小型化、低功耗和靜音驅(qū)動(dòng)成為可能。通過(guò)為外圍電路設(shè)計(jì)提供雙MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶(hù)提供滿足其需求且更出色的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結(jié)合的示例：

HT8KE5(Nch+Nch 雙MOSFET)和BM64070MUV(三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC)

HP8KE6(Nch+Nch 雙MOSFET)和BM64300MUV(三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC)等

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